Canal N 1200 V 100 A (Tc) 429W (Tc) Trou traversant TO-247-4
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Canal N 1200 V 100 A (Tc) 429W (Tc) Trou traversant TO-247-4
TO-247-4L

DMWSH120H28SM4Q

Numéro de produit DigiKey
31-DMWSH120H28SM4Q-ND
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMWSH120H28SM4Q
Description
SICFET N-CH 1200V TO-247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 100 A (Tc) 429W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V
Rds On (max.) à Id, Vgs
28.5mohms à 50A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id
3,6V à 17,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
156.3 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+19V, -8V
Dissipation de puissance (max.)
429W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-4
Boîtier
TO-247-4
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En stock: 33
Stock usine : 5 280
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
150,78000 $50,78 $
3034,03533 $1 021,06 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.