Canal N 1200 V 100 A (Tc) 349W (Tc) Trou traversant TO-247
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DMWSH120H23SM3

Numéro de produit DigiKey
31-DMWSH120H23SM3-ND
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMWSH120H23SM3
Description
SICFET N-CH 1200V TO-247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 100 A (Tc) 349W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
23mohms à 50A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
3,6V à 17,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
217 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3962 pF @ 1000 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
349W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
TO-247-3
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Disponible sur commande
Stock usine : 30
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
3026,34100 $790,23 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.