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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
DMTH8008LFG-7 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 31-DMTH8008LFG-7TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMTH8008LFG-7 |
Description | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 17 A (Ta), 70 A (Tc) 1,2W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 37.7 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2254 pF @ 40 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 1,2W (Ta), 50W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur POWERDI3333-8 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,9mohms à 20A, 10V |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH8008LFG-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH8008LFG-13TR-ND | 0,84243 $ | Équivalent paramétrique |
| DMTH8008LFGQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH8008LFGQ-13CT-ND | 3,17000 $ | Équivalent paramétrique |
| DMTH8008LFGQ-7 | Diodes Incorporated | 845 | 31-DMTH8008LFGQ-7CT-ND | 3,17000 $ | Équivalent paramétrique |
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Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 000 | 0,84244 $ | 1 684,88 $ |
