Name: DMTH10H071LFDFW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H071LFDFW-7TR-ND
Price: 0.28457 CAD
Availability: OutOfStock

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DMTH10H071LFDFW-7
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH10H071LFDFW-7TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH10H071LFDFW-7
Description	IC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 4,6 A (Ta) 1,8W (Ta) Montage en surface, joints de brasure visibles U-DFN2020-6 (SWP) (type UXG)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	68mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	296 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	U-DFN2020-6 (SWP) (type UXG)
Boîtier	6-UDFN plot exposé