Équivalent paramétrique

DMTH10H009LFGQ-7 | |
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Numéro de produit DigiKey | 31-DMTH10H009LFGQ-7TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMTH10H009LFGQ-7 |
Description | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 12 A (Ta), 46 A (Tc) 2,5W (Ta), 39W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2361 pF @ 50 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 39W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier fournisseur POWERDI3333-8 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,5mohms à 20 A, 10V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH10H009LFGQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH10H009LFGQ-13TR-ND | 0,78736 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 000 | 0,93802 $ | 1 876,04 $ |


