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Canal N 60 V 50 A (Tc) 1,6W (Ta) Montage en surface PowerDI5060-8
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DMNH6012SPS-13

Numéro de produit DigiKey
DMNH6012SPS-13DITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMNH6012SPS-13
Description
MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 50 A (Tc) 1,6W (Ta) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
11mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
35.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1926 pF @ 30 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PowerDI5060-8
Boîtier
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
DMNH6012
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,80632 $2 015,80 $
5 0000,76433 $3 821,65 $
Conditionnement standard du fabricant