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Canal N 30 V 15 A (Ta), 55 A (Tc) 2W (Ta) Montage en surface TO-252-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 30 V 15 A (Ta), 55 A (Tc) 2W (Ta) Montage en surface TO-252-3
TO-252-3

DMNH3010LK3-13

Numéro de produit DigiKey
DMNH3010LK3-13-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMNH3010LK3-13
Description
MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 15 A (Ta), 55 A (Tc) 2W (Ta) Montage en surface TO-252-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
15 A (Ta), 55 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
9,5mohms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2075 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252-3
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
DMNH3010
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,49324 $1 233,10 $
5 0000,45576 $2 278,80 $
7 5000,43667 $3 275,03 $
12 5000,42797 $5 349,62 $
Conditionnement standard du fabricant