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DMTH8028LFVW-13
Diodes Incorporated
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Fiche technique
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Canal N 75 V 7,8 A (Ta) 900mW (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
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DMN7022LFG-13

Numéro de produit DigiKey
DMN7022LFG-13-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMN7022LFG-13
Description
MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
Référence client
Description détaillée
Canal N 75 V 7,8 A (Ta) 900mW (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
7,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
22mohms à 7,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
56.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2737 pF @ 35 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
900mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
POWERDI3333-8
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMN7022
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Obsolète
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