Name: DMN6070SY-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN6070SY-13TR-ND
Price: 0.89 CAD
Availability: InStock

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DMN6070SY-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMN6070SY-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMN6070SY-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMN6070SY-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN6070SY-13
Description	MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 4,1 A (Ta) 2,1W (Ta) Montage en surface SOT-89-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	85mohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	588 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-89-3
Boîtier	TO-243AA
Numéro de produit de base	DMN6070

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