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Diodes Incorporated
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Fiche technique

Équivalent paramétrique


Diodes Incorporated
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Fiche technique
X2-DFN1006-3
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DMN3732UFB4-7

Numéro de produit DigiKey
31-DMN3732UFB4-7TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DMN3732UFB4-7
Description
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 1,3 A (Ta) 490mW (Ta) Montage en surface X2-DFN1006-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
460mohms à 200mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
950mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
40.8 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
490mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
X2-DFN1006-3
Boîtier
Numéro de produit de base
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