Name: DMN3350LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3350LFB-7BTR-ND
Price: 0.26833 CAD
Availability: OutOfStock

Canal N 30 V 1,6 A (Ta) 600mW (Ta) Montage en surface X1-DFN1006-3

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DMN3350LFB-7B
Numéro de produit DigiKey	31-DMN3350LFB-7BTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3350LFB-7B
Description	MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 1,6 A (Ta) 600mW (Ta) Montage en surface X1-DFN1006-3

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,6V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1.1 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 38.4 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 600mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,6 A (Ta)	Boîtier fournisseur X1-DFN1006-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 3-UFDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 350mohms à 590mA, 10V

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Bande et bobine