Équivalent paramétrique
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DMN3029LFG-13 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | DMN3029LFG-13DITR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMN3029LFG-13 |
Description | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | cms-lead-weeks-value |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 5,3 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1,8V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11.3 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±25V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 580 pF @ 15 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur POWERDI3333-8 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 18,6mohms à 10A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | cms-manufacturer | cms-qty-avail | Numéro de produit DigiKey | cms-unit-price | cms-subs-type |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3027LFG-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN3027LFG-13DI-ND | 0,46581 $ | Équivalent paramétrique |
| DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | 1 660 | DMN3027LFG-7DICT-ND | 1,91000 $ | Équivalent paramétrique |
| DMN3029LFG-7 | Diodes Incorporated | 1 901 | 31-DMN3029LFG-7CT-ND | 1,16000 $ | Équivalent paramétrique |
| AON7410 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 213 648 | 785-1581-1-ND | 0,97000 $ | Similaire |
| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | 1 712 | RQ3E080GNTBCT-ND | 1,06000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,23529 $ | 705,87 $ |
| 6 000 | 0,21736 $ | 1 304,16 $ |





