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DMN3009SFGQ-13 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | DMN3009SFGQ-13-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMN3009SFGQ-13 |
Description | MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 16 A (Ta), 45 A (Tc) 900mW (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2000 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 900mW (Ta) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier fournisseur POWERDI3333-8 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,5mohms à 20A, 10V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA | Numéro de produit de base |
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Substituts (5)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3009SFG-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN3009SFG-13-ND | 0,45564 $ | Équivalent paramétrique |
| DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated | 2 862 | DMN3009SFG-7DICT-ND | 1,83000 $ | Équivalent paramétrique |
| DMN3009SFGQ-7 | Diodes Incorporated | 581 | DMN3009SFGQ-7DICT-ND | 2,40000 $ | Équivalent paramétrique |
| TPH6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 2 390 | TPH6R003NLLQCT-ND | 2,49000 $ | Similaire |
| TPN6R303NC,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 2 688 | TPN6R303NCLQCT-ND | 2,19000 $ | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,65721 $ | 1 971,63 $ |
