Name: DMN2450UFB4Q-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2450UFB4Q-7BTR-ND
Price: 0.0668 CAD
Availability: OutOfStock

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DMN2450UFB4-7B

Diodes Incorporated

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DMN2450UFB4-7R

Diodes Incorporated

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DMN2450UFB4Q-7B
Numéro de produit DigiKey	31-DMN2450UFB4Q-7BTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2450UFB4Q-7B
Description	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 1 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface X2-DFN1006-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	400mohms à 600mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	56 pF @ 16 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X2-DFN1006-3
Boîtier	3-XFDFN
Numéro de produit de base	DMN2450

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Disponible sur commande

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Quantité

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Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
10 000	0,06680 $	668,00 $
20 000	0,06073 $	1 214,60 $
30 000	0,05763 $	1 728,90 $
50 000	0,05415 $	2 707,50 $
70 000	0,05209 $	3 646,30 $
100 000	0,05009 $	5 009,00 $
250 000	0,04751 $	11 877,50 $