Name: DMN2022UFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2022UFDF-13-ND
Price: 0.19766 CAD
Availability: OutOfStock

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DMN2022UFDF-13
Numéro de produit DigiKey	DMN2022UFDF-13-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2022UFDF-13
Description	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 7,9 A (Ta) 660mW (Ta) Montage en surface U-DFN2020-6 (Type F)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	22mohms à 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	907 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	660mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	U-DFN2020-6 (Type F)
Boîtier	6-UDFN plot exposé
Numéro de produit de base	DMN2022