Name: DMN2009USS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2009USS-13TR-ND
Price: 1.63 CAD
Availability: InStock

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DMN2009USS-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMN2009USS-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMN2009USS-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMN2009USS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2009USS-13
Description	MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 12,1A (Ta) 1,4W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 34 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1706 pF @ 10 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1,4W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12,1A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-SO
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 10V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Rds On (max.) à Id, Vgs 8mohms à 12A, 10V	Numéro de produit de base DMN2009

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