Name: DMN10H100SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H100SK3-13DITR-ND
Price: 2.14 CAD
Availability: InStock

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DMN10H100SK3-13
Numéro de produit DigiKey	DMN10H100SK3-13DITR-ND - Bande et bobine DMN10H100SK3-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN10H100SK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN10H100SK3-13
Description	MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 18 A (Tc) 37W (Tc) Montage en surface TO-252-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25.2 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1172 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 37W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 80mohms à 3,3A, 10V	Numéro de produit de base DMN10