Name: AS2312
Brand: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
SKU: 4530-AS2312TR-ND
Price: 0.34 CAD
Availability: InStock

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AS2312
Numéro de produit DigiKey	4530-AS2312TR-ND - Bande et bobine 4530-AS2312CT-ND - Bande coupée (CT) 4530-AS2312DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Numéro de produit du fabricant	AS2312
Description	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 6,8 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface SOT-23
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	18mohms à 6,8A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11.05 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	888 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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