AOB7S60L est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : 8,96000 $
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 189
Prix unitaire : 8,59000 $
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 14
Prix unitaire : 4,02000 $
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 0
Prix unitaire : 1,32215 $
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 1,03688 $
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 0,99491 $
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 0,99491 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 453
Prix unitaire : 3,76000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 716
Prix unitaire : 4,38000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 1 456
Prix unitaire : 7,91000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 564
Prix unitaire : 7,93000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 653
Prix unitaire : 7,05000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 205
Prix unitaire : 8,15000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 1 084
Prix unitaire : 5,37000 $
Fiche technique
Canal N 600 V 7 A (Tc) 104W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

AOB7S60L

Numéro de produit DigiKey
785-1263-2-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
AOB7S60L
Description
MOSFET N-CH 600V 7A TO263
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 7 A (Tc) 104W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
600mohms à 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,9V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
372 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.