Circuits intégrés d'alimentation simple GaNFast™ de 650 V

Les circuits intégrés d'alimentation de Navitas en versions de 120 mΩ, 170 mΩ et 300 mΩ sont optimisés pour les topologies à commutation douce hautes fréquences

Image du circuit intégré d'alimentation GaNFast™ 650 V de NavitasLes circuits intégrés d'alimentation GaNFast de Navitas disposent d'un groupe motopropulseur haute fréquence, facile à utiliser, à entrée numérique et sortie de puissance. L'intégration monolithique d'un transistor à effet de champ (FET), d'un circuit d'attaque et d'une logique crée un élément hautes performances permettant aux concepteurs de créer un groupe motopropulseur intégré rapide, compact et efficace.

L'immunité dV/dt élevée, la commande haute vitesse intégrée et le boîtier QFN CMS extra-plat de 5 mm x 6 mm aux normes de l'industrie et à faible inductance permettent aux concepteurs d'exploiter la technologie GaN (nitrure de gallium) de Navitas avec des solutions simples, rapides et fiables pour un rendement et une densité de puissance de pointe. Ces circuits intégrés étendent les capacités des topologies traditionnelles, telles que les topologies indirectes, en demi-pont, résonnantes et autres au MHz+, permettant ainsi l'introduction commerciale de conceptions révolutionnaires.

Fonctionnalités
  • Attaque de grille monolithiquement intégrée
  • Plage d'entrée logique étendue avec hystérésis
  • Compatible avec des entrées de 5 V/15 V
  • Vaste plage VCC : 10 V à 30 V
  • dV/dt de mise sous tension programmable
  • Immunité dV/dt de 200 V/ns
  • FET GaN eMode 650 V
  • Faibles résistances de 120 mΩ, 170 mΩ et de 300 mΩ
  • Fonctionnement à 2 MHz
  • Boîtier QFN CMS compact et extra-plat
    • Empreinte de 5 mm x 6 mm, hauteur de 0,85 mm
    • Inductance du boîtier réduite au minimum
  • Sans plomb et conformité à RoHS et à REACH
Applications
  • CA/CC, CC/CC et CC/CA
  • Topologies de type abaisseur, élévateur, demi-pont et pont complet
  • Dispositifs indirects à verrouillage actif, LLC à résonnance et classe D
  • Adaptateurs et chargeurs rapides mobiles
  • Adaptateurs d'ordinateurs portables
  • Éclairage LED et micro-onduleurs solaires
  • Écrans de télévision et alimentation sans fil
  • Serveurs, télécommunications et alimentations à découpage réseau

GaNFast™ 650 V Single Power ICs

ImageRéférence fabricantDescriptionType de montageBoîtierQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFNNV6113-RAMOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFNMontage en surface8-PowerVDFN1029 - Immédiatement$4.88Afficher les détails
MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFNNV6115-RAMOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFNMontage en surface8-PowerVDFN1274 - Immédiatement$6.37Afficher les détails
MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFNNV6117-RAMOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFNMontage en surface8-PowerVDFN955 - Immédiatement$9.37Afficher les détails
MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFNNV6125-RAMOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFNMontage en surface30-PowerVQFN1701 - Immédiatement$6.37Afficher les détails
MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFNNV6127-RAMOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFNMontage en surface30-PowerVQFN363 - Immédiatement$9.37Afficher les détails
MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFNNV6123-RAMOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFNMontage en surface30-PowerVQFN1635 - Immédiatement$4.88Afficher les détails
MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFNNV6128MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFNMontage en surface30-PowerVQFN2986 - Immédiatement$13.73Afficher les détails
Date de publication : 2019-01-25