Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Demi- pont 650 V 8 A 8-PowerVDFN
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Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Demi- pont 650 V 8 A 8-PowerVDFN
Let’s go GaNFast™
GaNFast Chargers in mass production

NV6115-RA

Numéro de produit DigiKey
1913-NV6115-RATR-ND - Bande et bobine
1913-NV6115-RACT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant
NV6115-RA
Description
MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
19 semaines
Référence client
Description détaillée
Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Demi- pont 650 V 8 A 8-PowerVDFN
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Navitas Semiconductor, Inc.
Série
GaNFast™
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Actif
Type
MOSFET
Configuration
Demi- pont
Courant
8 A
Tension
650 V
Tension - Isolement
-
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
NV6115
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
16,17000 $6,17 $
104,66200 $46,62 $
254,28680 $107,17 $
1003,87300 $387,30 $
2503,67584 $918,96 $
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0002,86865 $2 868,65 $
Conditionnement standard du fabricant