Circuit intégré de puissance NV6117 650 V GaNFast™ simple (120 mΩ)

Le circuit intégré de puissance NV6117 650 V GaNFast de Navitas est optimisé pour les topologies haute fréquence à commutation douce. L'intégration monolithique d'un transistor à effet de champ (FET), d'une commande et d'une logique permet de créer un élément à entrée numérique et sortie de puissance hautes performances facile à utiliser, permettant aux concepteurs de créer un groupe motopropulseur intégré ultrarapide, ultracompact et ultra-efficace.

L'immunité dV/dt ultra-élevée, la commande haute vitesse intégrée et le boîtier QFN CMS extra-plat de 5 mm x 6 mm aux normes de l'industrie et à faible inductance permettent aux concepteurs d'exploiter la technologie GaN (nitrure de gallium) de Navitas avec des solutions simples, rapides et fiables pour un rendement et une densité de puissance de pointe. Ces circuits intégrés étendent les capacités des topologies traditionnelles, telles que les topologies indirectes, en demi-pont, résonnantes et autres au MHz+, permettant ainsi l'introduction commerciale de conceptions révolutionnaires.