Microchip Technology

Série de MOSFET discrets mSiC™

Les MOSFET en carbure de silicium haute tension de Microchip sont parfaits pour une conversion de puissance robuste et efficace

Image de la série de MOSFET discrets mSiC™ de MicrochipLa série de MOSFET mSiC™ de Microchip est conçue pour les systèmes d'alimentation moyenne à haute tension nécessitant un rendement élevé, une taille compacte et une fiabilité robuste. Ces dispositifs exploitent la technologie du carbure de silicium afin de minimiser les pertes par conduction et commutation, ce qui permet des fréquences de commutation plus élevées et réduit la complexité de la gestion thermique par rapport aux MOSFET et IGBT en silicium.

Cette série couvre des tensions nominales allant de 700 V à 3300 V et supporte des températures de jonction jusqu'à +175 °C. Toutes les gammes partagent des attributs fondamentaux tels que la robustesse face aux avalanches, la résistance aux courts-circuits et la stabilité des performances des diodes de substrat. Cependant, les gammes MA, MB et MC offrent des optimisations distinctes pour différentes priorités de conception, allant des systèmes industriels sensibles aux coûts aux applications automobiles et renouvelables hautes performances.

Caractéristiques de la série MA
  • Ciblage des applications à très haute tension (jusqu'à 3300 V)
  • Optimisation pour une RDS(ON) minimale à des tensions de commande de grille élevées (18 V à 20 V)
  • Parfait pour les infrastructures de réseau, les systèmes de traction et les systèmes aérospatiaux
Caractéristiques de la série MB
  • Large couverture industrielle et automobile (généralement de 1200 V à 1700 V)
  • Attaque de grille recommandée : +18 V (marche) et -5 V (arrêt)
  • Équilibrage du rendement et du coût des entraînements de moteurs, des chargeurs pour véhicules électriques et des onduleurs pour énergies renouvelables
Caractéristiques de la série MC
  • Plage de tension similaire à celle de MB, mais intégration d'une résistance de grille pour une meilleure stabilité de commutation
  • Réduction du nombre de composants externes et simplification de la disposition pour les conceptions haute fréquence
  • Parfait pour les convertisseurs compacts et les systèmes nécessitant de faibles interférences électromagnétiques
Fonctionnalités
  • Faible résistance RDS(ON) sur toute la plage de températures pour un rendement élevé
  • Robustesse face aux avalanches et capacité de résistance aux courts-circuits pour une meilleure tolérance aux défauts
  • Commutation rapide avec faible charge de grille pour un fonctionnement à haute fréquence
  • Plage de tensions : 700 V à 3300 V
  • Fonctionnement haute température jusqu'à +175°C
Applications
  • Entraînements de moteurs industriels et servosystèmes
  • Onduleurs d'énergie renouvelable (solaire et éolienne)
  • Chargeurs pour véhicules électriques et groupes motopropulseurs hybrides
  • Équipements de transmission et de distribution pour réseaux électriques intelligents
  • Systèmes d'alimentation haute tension et de soudage

MA Series MOSFETs

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MB Series MOSFETs

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MC Series MOSFETs

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Date de publication : 2025-12-03

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