Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 17.5 CAD
Availability: InStock

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MSC080SMA120SDT/R
Numéro de produit DigiKey	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	MSC080SMA120SDT/R
Description	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 35 A (Tc) 182W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 100mohms à 15A, 20V
Fabricant Microchip Technology	Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 1mA
Série MSiC™ MA	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 64 nC @ 20 V
Conditionnement En vrac	Vgs (max.) +23V, -10V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 838 pF @ 1000 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 182W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263-7
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA