Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 16.93 CAD
Availability: InStock

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MSC080SMA120SDT/R
Numéro de produit DigiKey	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	MSC080SMA120SDT/R
Description	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 35 A (Tc) 182W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Microchip Technology
Série	MSiC™ MA
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	100mohms à 15A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	2,8V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	64 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+23V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	838 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	182W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA