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La solution de référence GaN CA de 5 kW à 48 V/50 V EPC91107KIT + EPC91110KIT d'EPC est alimentée par GaN ; EPC2304 (200 V, 5 mΩ) en PFC et EPC2305 (150 V, 3 mΩ) en LLC.
Circuit intégré d'étage ePower™ EPC23102
Date de publication : 2025-09-03
Le circuit intégré d'étage ePower™ EPC23102 d'EPC offre des performances supérieures et une taille de solution plus compacte pour les applications à haute densité de puissance.
La carte d'évaluation ultra-compacte EPC91109 d'EPC est idéale pour l'alimentation USB PD 3.1, les ordinateurs portables, les équipements alimentés par batterie et l'électronique portable jusqu'à 180 W.
Carte d'évaluation d'onduleur d'entraînement de moteur triphasé EPC9196
Date de publication : 2025-06-24
Les cartes d'évaluation d'onduleur d'entraînement de moteur triphasé EPC9196 d'EPC sont compatibles avec les cartes de contrôleur tierces et disposent de capteurs de courant, de tension et de température embarqués.
Carte de démonstration EPC91116
Date de publication : 2025-05-27
La carte de démonstration EPC91116 d'EPC dispose d'un générateur d'impulsions étroites en option pour simplifier le fonctionnement avec des générateurs d'impulsions et de fonctions classiques.
Webinaire – Puissance et rendement maximum : GaN
Ce webinaire présente une série de conceptions de référence conjointes basées GaN, offrant une puissance de sortie inégalée, un haut rendement thermique et un espace carte réduit.
FET GaN en boîtiers PQFN
Date de publication : 2025-04-10
Les FET GaN en boîtiers PQFN d'EPC sont parfaits pour les applications exigeantes telles que l'entraînement de moteurs, la robotique et le calcul à hautes performances.
This video discusses the EPC2152 Integrated ePower Stage by EPC, a single-chip driver and half-bridge power stage. It offers fast switching, robust transient handling, and a compact design for high-frequency power applications.
Carte d'onduleur d'entraînement de moteur EPC91200
Date de publication : 2025-02-11
Le dispositif EPC91200 d'EPC est une carte d'onduleur d'entraînement de moteur CC sans balais (BLDC) triphasé, dotée d'un FET eGaN EPC2305 avec tension du dispositif de 150 V maximum, destinée aux batteries de 96 V.
Comprendre le rôle des circuits d'attaque, des commutateurs et des diodes laser pour des performances LiDAR efficaces
Date de publication : 2025-02-06
Les composants électro-optiques sont au cœur des LiDAR, qui utilisent des impulsions laser pour créer une représentation tridimensionnelle en « nuage de points » de l'environnement.
At electronica 2024, in the DigiKey booth, Caitlin Gittins speaks with Alex Lidow, CEO, EPC about GaN and the future of untethered robots.
Carte d'évaluation de convertisseur synchrone abaisseur/élévateur EPC91106
Date de publication : 2024-12-31
La carte d'évaluation de convertisseur synchrone abaisseur/élévateur extra-plat à haute densité de puissance EPC91106 d'EPC constitue une solution complète de convertisseur de puissance qui s'inscrit dans un espace de 21 mm x 13 mm.
Circuit d'attaque monopuce à étage ePower™ intégré 80 V 12,5 A EPC2152
Date de mise à jour : 2024-12-23
Le dispositif EPC2152 à étage ePower™ intégré 80 V 12,5 A d'EPC est un circuit d'attaque monopuce avec un étage de puissance FET eGaN® demi-pont mesurant 3,9 mm x 2,6 mm x 0,8 mm.
FET GaN EPC2069 de 40 V, 2,25 mΩ
Date de publication : 2024-12-10
Les transistors FET GaN à courant pulsé EPC2069 d'EPC offrent aux concepteurs un dispositif plus petit et plus efficace que les MOSFET en silicium pour les applications hautes performances et à espace restreint.
uP1966E : circuit d'attaque de grille en demi-pont de 80 V pour FET GaN
Date de publication : 2024-10-08
L'uP1966E, commercialisé par EPC, est conçu pour piloter les FET GaN haut potentiel et bas potentiel dans des topologies en demi-pont, fonctionnant à plusieurs MHz sur les deux canaux.
Unlocking the power of GaN
Our experts from Microchip and EPC will provide valuable insights into the technical advantages and practical applications of GaN-based high power density solutions.
Webinaire – Libérer la puissance du GaN
Découvrez comment intégrer la technologie GaN à haute densité de puissance dans vos applications lors de ce webinaire.
FET GaN 50 V et 8,5 mΩ EPC2057
Date de publication : 2024-07-01
Le FET GaN à courant pulsé EPC2057 d'EPC est conçu pour les dispositifs USB-C® haute puissance, y compris ceux utilisés dans l'électronique grand public, la recharge automobile et l'eMobilité.
Carte d'évaluation d'amplificateur de classe D EPC9192KIT
Date de publication : 2024-05-06
La carte d'évaluation d'amplificateur de classe D EPC9192KIT d'EPC est idéale pour les applications telles que les systèmes audio professionnels, audio personnels et audio de transport.
Canada