FET GaN en boîtiers PQFN

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            FET GaN en boîtiers PQFN
                    Les FET GaN d'EPC offrent des performances exceptionnelles dans des empreintes compactes, idéales pour la conversion de puissance haute densité
    

Image des FET GaN en boîtiers PQFN d'EPC Les FET en nitrure de gallium (GaN) en boîtiers PQFN d'EPC offrent des performances exceptionnelles dans des empreintes compactes, idéales pour la conversion de puissance haute densité. Ces dispositifs offrent une ultrafaible résistance à l'état passant, une faible charge de grille et des pertes de commutation minimales, permettant ainsi un rendement supérieur et des vitesses de commutation plus rapides que les MOSFET en silicium traditionnels.

Avec des tensions nominales allant jusqu'à 200 V et des capacités de courant pulsé dépassant 400 A dans certaines pièces, ces FET GaN sont parfaits pour les applications exigeantes telles que l'entraînement de moteurs, la robotique et le calcul à hautes performances.

Fonctionnalités

Économies
Performances supérieures à celles d'un MOSFET
- Plus grande rapidité
- Plus grande compacité
- Courant plus élevé
Simplicité d'utilisation
- Compatibilité de l'empreinte maximisant la flexibilité de conception
Excellentes propriétés thermiques
- Dessus exposé
- Ultrafaible résistance thermique

Applications

Chargeurs CA/CC
Convertisseurs CC/CC haute fréquence
Entraînement de moteurs
MPPT solaire
Audio de classe D

Date de publication : 2025-04-10

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