Carte de démonstration EPC91116
Les cartes de démonstration d'EPC sont conçues avec un circuit d'attaque laser haute fréquence de 40 V, 17 A
La carte EPC91116 d'EPC est une carte de démonstration adaptée à la commande de diodes laser avec des impulsions de courant courtes, atteignant des largeurs d'impulsion minimales de seulement 5 ns. Elle prend en charge des courants de crête de plus de 10 A et une tension de bus de 40 V. Ces performances à haute vitesse sont rendues possibles par la technologie FET à mode d'enrichissement du nitrure de gallium (eGaN®). Cette carte utilise un transistor GaN EPC2203 ultra-rapide, entièrement qualifié pour l'industrie automobile, avec une charge de grille totale (QG) très faible de 670 pC. Ce transistor GaN présente un courant d'impulsion nominal de 17 A, une tension nominale de 80 V et une résistance à l'état passant RDS(ON) très faible de 80 mΩ, tout en conservant une empreinte exceptionnellement réduite de 0,9 mm x 0,9 mm.
- Génération rapide d'impulsions de courant avec une largeur d'impulsion de l'ordre de la nanoseconde
- Mesures intégrées à large bande passante pour les formes d'onde clés
- Générateur d'impulsions étroites en option pour simplifier le fonctionnement avec des générateurs d'impulsions et de fonctions classiques
- L'impulsion d'entrée peut provenir d'une large gamme de niveaux de tension de familles logiques
- Mesure du temps de vol (ToF)
- Reconnaissance gestuelle
- Jeux
- Alerte du conducteur
- Vision robotique
- Sécurité industrielle
- Module ToF utilisant un laser VCSEL (à cavité verticale émettant par la surface) pour les modules de caméra, les ordinateurs portables et les smartphones
- Commutateurs de commande pour convertisseurs élévateurs, directs ou indirects
- Amplificateur de classe E
EPC91116 Demonstration Board
| Image | Référence fabricant | Description | Type | Fonction | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | EPC91116 | EVAL BOARD FOR EPC2203 | Gestion de l’alimentation | Circuit d’attaque de diode laser | 14 - Immédiatement | $672.88 | Afficher les détails |
Associated Parts
| Image | Référence fabricant | Description | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | EPC2203 | GANFET N-CH 80V 1.7A DIE | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 80 V | 33060 - Immédiatement | $2.19 | Afficher les détails |







