IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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SQM90142E_GE3

Vishay Siliconix

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Canal N 220 V 72 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2

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IPB156N22NFDATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB156N22NFDATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB156N22NFDATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB156N22NFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB156N22NFDATMA1
Description	MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 220 V 72 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB156N22NFDATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 270µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 87 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ FD	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6930 pF @ 110 V
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey	Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 220 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 72 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPB156
Rds On (max.) à Id, Vgs 15,6mohms à 50A, 10V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SQM90142E_GE3	Vishay Siliconix	1	SQM90142E_GE3CT-ND	6,44000 $	Similaire

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