FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
NX7002AK,215 MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	8 998 En stock	1 : 0,22000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04264 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	190mA (Ta)	5V, 10V	4,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	526 392 En stock	1 : 0,22000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04192 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	530 072 En stock	1 : 0,23000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04509 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-TP MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	100 138 En stock	1 : 0,25000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04819 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	1,08W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN65D8L-7 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	14 607 En stock	1 : 0,25000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04819 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	310mA (Ta)	5V, 10V	3ohms à 115mA, 10V	2V à 250µA	0.87 nC @ 10 V	±20V	22 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	150 255 En stock	1 : 0,29000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05292 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohms à 50mA, 5V	2,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KFS,LF MOSFET N-CH 60V 300MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	86 188 En stock	1 : 0,29000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05721 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SSM	SC-75, SOT-416
2N7002WT1G MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 onsemi	83 830 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,29000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05539 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	310mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	280mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
2N7002P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	1 553 En stock	1 : 0,29000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05721 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6ohms à 500mA, 10V	2,4V à 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	393 340 En stock	1 : 0,31000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05782 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	243 862 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,31000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05701 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohms à 500mA, 10V	2,3V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002A-7 MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Diodes Incorporated	109 085 En stock	1 : 0,31000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06187 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	180mA (Ta)	5V, 10V	6ohms à 115mA, 5V	2V à 250µA	-	±20V	23 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	1 020 954 En stock	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06302 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2ohms à 100mA, 2,5V	1V à 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	258 034 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06050 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4ohms à 400mA, 4,5V	1,06V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	103 982 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06077 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5ohms à 240mA, 10V	2,5V à 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K35AMFV,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	56 868 En stock	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 8 000 : 0,05382 $ Bande et bobine	U-MOSIII	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	250mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,1ohms à 150mA, 4,5V	1V à 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	VESM	SOT-723
SSM3K37FS,LF MOSFET N-CH 20V 200MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	34 324 En stock	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06302 $ Bande et bobine	U-MOSIII	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	200mA (Ta)	1,5V, 4,5V	2,2ohms à 100mA, 4,5V	1V à 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	100mW (Ta)	150°C (TA)	-	-	Montage en surface	SSM	SC-75, SOT-416
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	17 114 En stock	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06559 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8ohms à 250mA, 10V	1,5V à 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	9 728 En stock	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06331 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	10V	1,6ohms à 300mA, 10V	1,5V à 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	301 798 En stock	1 : 0,34000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06871 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	UMT3F	SC-85
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	259 810 En stock	1 : 0,34000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06263 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohms à 100mA, 5V	2V à 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	5 918 En stock	1 : 0,34000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,05444 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	CST3	SC-101, SOT-883
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	691 490 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,35000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06734 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	179 198 En stock	1 : 0,35000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06656 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-523	SOT-523
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	100 543 En stock	1 : 0,35000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07150 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	170mA (Ta)	10V	6ohms à 170mA, 10V	2V à 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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