XP83T03GJB YAGEO XSEMI | Produits semi-conducteurs discrets

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XP83T03GJB
Numéro de produit DigiKey	5048-XP83T03GJB-ND
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP83T03GJB
Description	MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 75 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-251S
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP83T03
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	75 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6mohms à 40A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	34 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1840 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	60W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-251S
Boîtier	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
Numéro de produit de base	XP83