Name: XP6NA1R4CXT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP6NA1R4CXTTR-ND
Price: 4.81 CAD
Availability: InStock

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XP6NA1R4CXT
Numéro de produit DigiKey	5048-XP6NA1R4CXTTR-ND - Bande et bobine 5048-XP6NA1R4CXTCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP6NA1R4CXTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP6NA1R4CXT
Description	FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 44,6A (Ta), 100A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) Montage en surface PMPAK® 5 x 6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,45mohms à 20A, 10V
Fabricant YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série XP6NA1R4C	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 195 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11520 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 113,6W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 44,6A (Ta), 100A (Tc)	Boîtier fournisseur PMPAK® 5 x 6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerLDFN