Canal N 650 V 10 A (Tc) 2W (Ta), 78,1W (Tc) Montage en surface TO-252
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Canal N 650 V 10 A (Tc) 2W (Ta), 78,1W (Tc) Montage en surface TO-252
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP65SL380DH

Numéro de produit DigiKey
5048-XP65SL380DHTR-ND - Bande et bobine
5048-XP65SL380DHCT-ND - Bande coupée (CT)
5048-XP65SL380DHDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
XP65SL380DH
Description
MOSFET N-CH 650V 10A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 10 A (Tc) 2W (Ta), 78,1W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 3,2A, 10V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
52.8 nC @ 10 V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1860 pF @ 100 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 78,1W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-252
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 996
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Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
13,68000 $3,68 $
102,35900 $23,59 $
1001,60310 $160,31 $
5001,27952 $639,76 $
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0001,16034 $3 481,02 $
Conditionnement standard du fabricant