Canal N 650 V 20 A (Tc) 1,92W (Ta), 34,7W (Tc) Trou traversant TO-220CFM
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Canal N 650 V 20 A (Tc) 1,92W (Ta), 34,7W (Tc) Trou traversant TO-220CFM
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP65SL190DI

Numéro de produit DigiKey
5048-XP65SL190DI-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
XP65SL190DI
Description
MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 20 A (Tc) 1,92W (Ta), 34,7W (Tc) Trou traversant TO-220CFM
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
190mohms à 6,2A, 10V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
92.8 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3312 pF @ 100 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
1,92W (Ta), 34,7W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-220CFM
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 847
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,19000 $5,19 $
502,60800 $130,40 $
1002,35680 $235,68 $
5002,04004 $1 020,02 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.