Name: XP4P090N
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP4P090NTR-ND
Price: 0.51 CAD
Availability: InStock

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XP4P090N
Numéro de produit DigiKey	5048-XP4P090NTR-ND - Bande et bobine 5048-XP4P090NCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP4P090NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP4P090N
Description	MOSFET P-CH 40V 3A SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 3 A (Ta) 1,25W (Ta) Montage en surface SOT-23
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 90mohms à 3A, 10V
Fabricant YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série XP4P090	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.8 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 976 pF @ 20 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 1,25W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Ta)	Boîtier fournisseur SOT-23
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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XP4P090N