Name: XP3P080N
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3P080NTR-ND
Price: 0.51 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

XP3P080N
Numéro de produit DigiKey	5048-XP3P080NTR-ND - Bande et bobine 5048-XP3P080NCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP3P080NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP3P080N
Description	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 3,2 A (Ta) 1,25W (Ta) Montage en surface SOT-23
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 60mohms à 3A, 10V
Fabricant YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 250µA
Série XP3P080	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13.6 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1296 pF @ 15 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 1,25W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,2 A (Ta)	Boîtier fournisseur SOT-23
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 945

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

XP3P080N