Name: XP3NA3R4MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3NA3R4MTTR-ND
Price: 1.18 CAD
Availability: InStock

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XP3NA3R4MT
Numéro de produit DigiKey	5048-XP3NA3R4MTTR-ND - Bande et bobine 5048-XP3NA3R4MTCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP3NA3R4MTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP3NA3R4MT
Description	MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 29,2A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 31,25W (Tc) Montage en surface PMPAK® 5 x 6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP3NA3R4
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	29,2A (Ta), 73A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,4mohms à 19A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	36.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3360 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5W (Ta), 31,25W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PMPAK® 5 x 6
Boîtier	8-PowerLDFN