Name: XP3NA3R4MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3NA3R4MTTR-ND
Price: 1.31 CAD
Availability: InStock

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XP3NA3R4MT
Numéro de produit DigiKey	5048-XP3NA3R4MTTR-ND - Bande et bobine 5048-XP3NA3R4MTCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP3NA3R4MTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP3NA3R4MT
Description	MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 29,2A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 31,25W (Tc) Montage en surface 8-PMPAK (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 3,4mohms à 19A, 10V
Fabricant YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 250µA
Série XP3NA3R4	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36.8 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3360 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 31,25W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29,2A (Ta), 73A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-PMPAK (5x6)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerLDFN

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 990

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	0,28797 $	863,91 $
6 000	0,27408 $	1 644,48 $

Conditionnement standard du fabricant

XP3NA3R4MT