Name: XP3N9R5AH
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N9R5AHTR-ND
Price: 0.92 CAD
Availability: InStock

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XP3N9R5AH
Numéro de produit DigiKey	5048-XP3N9R5AHTR-ND - Bande et bobine 5048-XP3N9R5AHCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP3N9R5AHDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP3N9R5AH
Description	MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 38,5A (Ta) 2W (Ta), 22,7W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 9,5mohms à 20A, 10V
Fabricant YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série XP3N9R5A	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14.4 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1280 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta), 22,7W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38,5A (Ta)	Boîtier fournisseur TO-252
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63

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XP3N9R5AH