Name: XP3N5R0M
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N5R0MTR-ND
Price: 1.09 CAD
Availability: InStock

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XP3N5R0M
Numéro de produit DigiKey	5048-XP3N5R0MTR-ND - Bande et bobine 5048-XP3N5R0MCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP3N5R0MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP3N5R0M
Description	MOSFET N-CH 30V 17.4A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 17,4A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 5mohms à 16A, 10V
Fabricant YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série XP3N5R0	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33.6 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3040 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,4A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-SO
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)

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XP3N5R0M