Name: XP3N5R0M
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N5R0MTR-ND
Price: 1.97 CAD
Availability: InStock

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XP3N5R0M
Numéro de produit DigiKey	5048-XP3N5R0MTR-ND - Bande et bobine 5048-XP3N5R0MCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP3N5R0MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP3N5R0M
Description	MOSFET N-CH 30V 17.4A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 17,4A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP3N5R0
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	17,4A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	33.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3040 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SO
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)