Name: XP3N1R0MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N1R0MTTR-ND
Price: 3.02 CAD
Availability: InStock

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XP3N1R0MT
Numéro de produit DigiKey	5048-XP3N1R0MTTR-ND - Bande et bobine 5048-XP3N1R0MTCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP3N1R0MTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP3N1R0MT
Description	FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 54,2A (Ta), 245A (Tc) 5W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface 8-PMPAK (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant YAGEO XSEMI	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 120 nC @ 4.5 V
Série XP3N1R0	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12320 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 104W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-PMPAK (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 54,2A (Ta), 245A (Tc)	Boîtier 8-PowerLDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base XP3N
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,05mohms à 20A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	0,88482 $	2 654,46 $

Conditionnement standard du fabricant

XP3N1R0MT