Name: XP10TN135H
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP10TN135HTR-ND
Price: 1.01 CAD
Availability: InStock

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XP10TN135H
Numéro de produit DigiKey	5048-XP10TN135HTR-ND - Bande et bobine 5048-XP10TN135HCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP10TN135HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP10TN135H
Description	MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 8,1 A (Tc) 2W (Ta), 20,8W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 135mohms à 5A, 10V
Fabricant YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série XP10TN135	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17.6 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 928 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta), 20,8W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,1 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63

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XP10TN135H