


C3M0280090J | |
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Numéro de produit DigiKey | C3M0280090J-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | C3M0280090J |
Description | SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 900 V 11 A (Tc) 50W (Tc) Montage en surface TO-263-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | C3M0280090J Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 900 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 15V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 360mohms à 7,5A, 15V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,5V à 1,2mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 9.5 nC @ 15 V | |
Vgs (max.) | +18V, -8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 150 pF @ 600 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 50W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-263-7 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 14,37000 $ | 14,37 $ |
| 50 | 7,90660 $ | 395,33 $ |
| 100 | 7,28440 $ | 728,44 $ |
| 500 | 6,19510 $ | 3 097,55 $ |

