Diode 650 V 10A Trou traversant TO-220AC
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Diode 650 V 10A Trou traversant TO-220AC
TO-220-2

NXPSC106506Q

Numéro de produit DigiKey
NXPSC106506Q-ND
Fabricant
WeEn Semiconductors
Numéro de produit du fabricant
NXPSC106506Q
Description
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 10A Trou traversant TO-220AC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
WeEn Semiconductors
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
10A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 10 A
Vitesse
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
250 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
300pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-220-2
Boîtier fournisseur
TO-220AC
Température de fonctionnement - Jonction
175°C (maxi)
Numéro de produit de base
NXPSC
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En stock: 3 000
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
18,61000 $8,61 $
504,91400 $245,70 $
1004,54060 $454,06 $
5004,09878 $2 049,39 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.