
SQJ560EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ560EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ560EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ560EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ560EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 37 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 30 A (Tc), 18 A (Tc) 34W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ560EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 10V, 45nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1650pF à 25V |
Série | Puissance - Max. 34W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration Canaux N et P | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc), 18 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 10A, 10V, 52,6mohms à 10A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,34000 $ | 3,34 $ |
| 10 | 2,13500 $ | 21,35 $ |
| 100 | 1,44260 $ | 144,26 $ |
| 500 | 1,14634 $ | 573,17 $ |
| 1 000 | 1,05109 $ | 1 051,09 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,93017 $ | 2 790,51 $ |
| 6 000 | 0,86934 $ | 5 216,04 $ |
| 9 000 | 0,83836 $ | 7 545,24 $ |
| 15 000 | 0,82452 $ | 12 367,80 $ |











