
SQJ504EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ504EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ504EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ504EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ504EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 37 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 30 A (Tc) 34W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ504EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 10V, 85nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1900pF à 25V, 4600pF à 25V |
Série | Puissance - Max. 34W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration Canaux N et P | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 40V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,5mohms à 8A, 10V, 17mohms à 8A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,54000 $ | 3,54 $ |
| 10 | 2,26900 $ | 22,69 $ |
| 100 | 1,53870 $ | 153,87 $ |
| 500 | 1,22596 $ | 612,98 $ |
| 1 000 | 1,12543 $ | 1 125,43 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,99781 $ | 2 993,43 $ |
| 6 000 | 0,93360 $ | 5 601,60 $ |
| 9 000 | 0,90091 $ | 8 108,19 $ |
| 15 000 | 0,89440 $ | 13 416,00 $ |

