Name: SQJ401EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ401EP-T1_GE3TR-ND
Price: 5.04 CAD
Availability: InStock

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SQJ401EP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQJ401EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ401EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ401EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ401EP-T1_GE3
Description	MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 32 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 164 nC @ 4.5 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±8V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10015 pF @ 6 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 83W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 32 A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Boîtier PowerPAK® SO-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 6mohms à 15A, 4,5V	Numéro de produit de base SQJ401
Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 206

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	1,51382 $	4 541,46 $
6 000	1,44382 $	8 662,92 $

Conditionnement standard du fabricant

SQJ401EP-T1_GE3