Name: SQJ123ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ123ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 3.8 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SQJ123ELP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQJ123ELP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJ123ELP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJ123ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ123ELP-T1_GE3
Description	AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 238A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQJ123ELP-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 180 nC @ 4.5 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11680 pF @ 6 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 238A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 4mohms à 10A, 4,5V	Boîtier PowerPAK® SO-8