Name: SQ4425EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4425EY-T1_GE3TR-ND
Price: 4.39 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SQ4425EY-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQ4425EY-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ4425EY-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ4425EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ4425EY-T1_GE3
Description	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 18 A (Tc) 6,8W (Tc) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50 nC @ 4.5 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3630 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 6,8W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 13A, 10V	Numéro de produit de base SQ4425
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA