
SIZF4800LDT-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIZF4800LDT-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 80V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montage en surface PowerPAIR® 3x3FS |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIZF4800LDT-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 19mohms à 10A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 950pF à 40V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (demi-pont) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 80V | Boîtier 12-PowerPair™ |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Ta), 36 A (Tc) | Boîtier fournisseur PowerPAIR® 3x3FS |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,85000 $ | 3,85 $ |
| 10 | 2,47500 $ | 24,75 $ |
| 100 | 1,68670 $ | 168,67 $ |
| 500 | 1,34908 $ | 674,54 $ |
| 1 000 | 1,24052 $ | 1 240,52 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,10274 $ | 3 308,22 $ |
| 6 000 | 1,03343 $ | 6 200,58 $ |
| 9 000 | 1,00394 $ | 9 035,46 $ |











