
SIZF4800LDT-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIZF4800LDT-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 29 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 80V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montage en surface PowerPAIR® 3x3FS |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIZF4800LDT-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 80V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 10 A (Ta), 36 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 19mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 23nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 950pF à 40V | |
Puissance - Max. | 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 12-PowerPair™ | |
Boîtier fournisseur | PowerPAIR® 3x3FS |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,49000 $ | 3,49 $ |
| 10 | 2,23900 $ | 22,39 $ |
| 100 | 1,52560 $ | 152,56 $ |
| 500 | 1,22022 $ | 610,11 $ |
| 1 000 | 1,18924 $ | 1 189,24 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,99740 $ | 2 992,20 $ |
| 6 000 | 0,97160 $ | 5 829,60 $ |



