10 Power-WHITFN-10-1
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10 Power-WHITFN-10-1
10 Power-WHITFN-10-1

ISG0616N10NM5HSCATMA1

Numéro de produit DigiKey
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Bande et bobine
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
ISG0616N10NM5HSCATMA1
Description
MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
18 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montage en surface PG-WHITFN-10-1
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
19A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
4mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,8V à 85µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
78nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4800pF à 50V
Puissance - Max.
3W (Ta), 167W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
10-PowerWDFN
Boîtier fournisseur
PG-WHITFN-10-1
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En stock: 918
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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
18,42000 $8,42 $
105,62200 $56,22 $
1004,03600 $403,60 $
5003,93370 $1 966,85 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0003,21382 $9 641,46 $
Conditionnement standard du fabricant